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S-4VL
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-01-06 14:51:27
型号: S-4VLSolderable Chip Series Planar Diffused Silicon Photodiodes
概述
来自OSI Laser Diode，Inc.的S-4VL是波长范围为970 nm、电容为370 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-4VL的更多详细信息，
参数
- 波长范围 / Wavelength Range : 970 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- RoHS / RoHs : Yes
- 电容 / Capacitance : 370 pF
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.60 to 0.65 A/W
规格书
厂家介绍
OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。
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图片名称分类制造商参数描述
- VEMD1160X01光电二极管Vishay Intertechnology
波长范围: 840 nm
Vishay Intertechnology的VEMD1160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为1.8至3.8 PF，暗电流为0.01至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD1160x01的更多详细信息，请参阅下文。
- DL-10C光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 670 nm响应度/光敏度: 0.4 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的DL-10C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至375 PF，暗电流为500至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DL-10C的更多详细信息，请参阅下文。
- FCI-InGaAs-8M光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.95 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
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波长范围: 254 nm响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W
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- UV-TIAMO-BL光电二极管Roithner Lasertechnik
波长范围: 280 nm
来自Roithner Lasertechnik的UV-TIAMO-BL是波长范围为280nm，带宽为15Hz，响应度/光敏度为280mV/NW/cm2，上升时间为0.182s的光电二极管。有关UV-TIAMO-BL的更多详细信息，请参见下文。
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