PIN-6DP

波长范围: 280 - 630 nm

光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

硅雪崩光电二极管用于250nm和1100nm之间的波长范围。这些光电二极管的雪崩效应使它们非常适合于检测极弱的光强度。不同的版本针对其各自的波长范围进行优化。

波长范围: 905 nm响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-012的更多详细信息，请参阅下文。

波长范围: 850 nm响应度/光敏度: 40 to 50 A/W

来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列，具有16个元件，采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm，可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

波长范围: 40 nm响应度/光敏度: 0.15 A/W

Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm，响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。