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下载规格书 激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
全部产品分类
FP1-850K概述
FP1-850K参数
- 模块 / Module : No
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 波长范围 / Wavelength Range : 810 to 970 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- 电容 / Capacitance : 5 pF
- 暗电流 / Dark Current : 5 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.3 A/W
FP1-850K规格书
FP1-850K厂家介绍
研发和生产企业Inject Ltd是俄罗斯领先企业之一，从事关键微电子激光技术的研发，并系列生产具有世界技术水平的高科技产品——半导体激光器、超辐射发光二极管、光电二极管、红光和蓝光超亮发光二极管等，以及基于它们的原创光电子器件。INJECT拥有制造激光半导体发射器的完整技术周期，从半导体基板的制造开始，从半导体结构层的外延生长到平面、组装、测量和测试线，在生产中使用国内材料。产品远销英国、美国、日本、以色列、韩国、德国、中国、保加利亚等国家。
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图片名称分类制造商参数描述
- 1010BI-SMT光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 920 nm响应度/光敏度: 0.30 to 0.59 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为900 PF，暗电流为0.16至10 nA，响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W，上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息，请参阅下文。
- FCI-InGaAs-400ACER光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400ACER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400ACER的更多详细信息，请参阅下文。
- PB30S2020T2S6L光电二极管Laser Components
Laser Components的PB30S2020T2S6L是一款光电二极管，波长范围为1至3.4µm，响应度/光敏度为750000至1100000 V/W，有效面积直径为9.5 mm.有关PB30S2020T2S6L的更多详细信息，请参阅下文。
- DH_Ge Photodiode (800-1800nm)光电二极管Bentham Instruments
波长范围: 800 to 1800 nm响应度/光敏度: 0.9 A/W
来自Bentham Instruments的DH_Ge光电二极管（800-1800nm）是波长范围为800至1800nm、暗电流为0.001nA、响应度/光敏度为0.9A/W的光电二极管。有关DH_Ge光电二极管（800-1800nm）的更多详细信息，请参见下文。
- PD438C/S46光电二极管Ever Light
波长范围: 940 nm
Ever Light的PD438C/S46是一款光电二极管，波长范围为940 nm，带宽为840至1100 nm，电容为18 PF，暗电流为5至30 nA，上升时间为50 ns.有关PD438C/S46的更多详细信息，请参阅下文。
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什么是直接二极管激光器（Direct Diode Lasers）？
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