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- SAR3000X光电二极管Laser Components
Laser Components的SAR3000X是一款光学探测器,波长范围为400至1000 nm,上升时间为800 psec,暗电流为3至10 nA,电容为7 PF,响应度/光敏度为50 A/W.有关SAR3000X的更多详细信息,请参见下文。
- 1010BI-SMT光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 920 nm响应度/光敏度: 0.30 to 0.59 A/W
OSI Laser Diode,Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为900 PF,暗电流为0.16至10 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息,请参阅下文。
- PIN-HR020L光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 800 nm响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/W
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-HR020L是一种光电二极管,其波长范围为800 nm,电容为1.8 PF,暗电流为0.06至0.1 nA,响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W,上升时间为0.8 ns.有关引脚HR020L的更多详细信息,请参见下文。
- FCI-InGaAs-300B1XX光电二极管OSI Optoelectronics
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.80 to 0.85 A/W
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
- 134A光电二极管Broadcom
波长范围: 1260 to 1620 nm
来自Broadcom的134A是波长范围为1260至1620 nm的光电二极管。有关134A的更多详细信息,请参见下文。
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