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下载规格书 激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
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相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FCI-InGaAs-300B1x8光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W
OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。
- UDT-555UV光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 200 to 1100 nm响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV的更多详细信息，请参见下文。
- FCI-InGaAs-XXM series光电二极管OSI Optoelectronics
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.95 A/W
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息，请参见下文。
- C30902SH Series（系列） 雪崩光电二极管光电二极管Excelitas Technologies
Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。
- C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管光电二极管Excelitas Technologies
C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。
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