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Opto Diode为各种工业、生物医学、科学和军事/航空航天应用设计和制造高质量标准和定制硅（Si）光电二极管、LED、IR LED和LED阵列、紫外（UV）/极紫外/绝对X射线光电探测器、光电组件和定制解决方案。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- Photodetector Module PDM04-9111-TTL光电二极管ADIT Electron Tubes
波长范围: 280 - 630 nm
我们的新系列TTL光电探测器模块（PMT）有圆柱形和矩形两种形式，可选择直径为25mm和30mm的PMT。光电倍增管的高电压和鉴别器阈值电平是预先设置的，以获得较佳性能，只需连接到+5V电源即可实现光子计数操作。
- TEMD5120X01光电二极管Vishay Intertechnology
波长范围: 940 nm
Vishay Intertechnology的TEMD5120X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD5120x01的更多详细信息，请参阅下文。
- FCI-InGaAs-400WCER光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400WCER的更多详细信息，请参阅下文。
- FCI-InGaAs-75C-XX-XX光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请参见下文。
- NXIR-5C光电二极管Opto Diode Corporation
波长范围: 320 to 1100 nm响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W
Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。
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