单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
Toptica Photonics的LD-2000-0003-DFB-1是一款激光二极管,波长为2004.0 nm,输出功率为0.002 W,输出功率(CW)为0.002 W.有关LD-2000-0003-DFB-1的更多详细信息,
参数
规格书
厂家介绍
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输出功率: 200mW
Cobolt 05-01系列激光器是连续波二极管泵浦激光器(DPL),工作波长在355 nm和1064 nm之间。这些激光器采用专有的HTCURE™制造技术制造,在紧凑的密封封装中具有超高的坚固性。激光器发射非常高质量的激光束,在宽范围的操作条件下具有稳定的特性。单频操作提供了窄的光谱带宽和长的相干长度。激光器的设计和制造确保了高水平的可靠性。
激光器封装包含一个905脉冲激光二极管(CVD 46)和一个650nm激光二极管,并排安装
输出功率: 10000mW
FLX-808-10000-1150是用MOCVD半导体激光器制作的808nm GaAlAs量子阱。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLX-808-10000-1150是一款CW多模注入式半导体激光器,采用C-Mount、TO3和HHL外壳,集成TEC和热敏电阻。光纤耦合封装也可采用SMA(9mm)和HHL外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR187P500是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为9 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR187P500的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 633 to 640 nm输出功率: 0.01 W
来自Sacher Lasertechnik的Sal-0635-010是一种激光二极管,波长为633至640 nm,输出功率为0.01 W,输出功率(CW)为0.01 W.Sal-0635-010的更多详情见下文。
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