半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
概述
来自Innolume的LD-10XX-TO-500是一款激光二极管,波长为976 nm,输出功率为0.5 W,工作电流为0.65至0.85 A,阈值电流为80至150 mA,输出功率(连续波)为0.5 W.有关LD-10XX-TO-500的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 976 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.5 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.65 to 0.85 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 80 to 150 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InAs/GaAs
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- 光纤长度 / Fiber length : 100 ± 20 cm
规格书
厂家介绍
相关产品
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-550-1178nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 550mW
•350/500/550mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1170-1280nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-600-1050nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 600mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- TO56-103半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1530 to 1580 nm输出功率: 24 W
TO56-103是Seminex公司生产的波长为1530~1580nm的激光二极管,输出功率为24W,工作电压为7V,工作电流为80A,阈值电流为2000mA.有关TO56-103的更多详细信息,请参阅下文。
- IPSGC0801半导体激光器InPhenix
波长: 800 to 840 nm
来自Inphenix的IPSGC0801是波长为800至840 nm、阈值电流为10 mA的激光二极管。有关IPSGC0801的更多详细信息,请参见下文。
- Intense 1202半导体激光器Intense Limited
波长: 635 nm输出功率: 0.25 W
Intense Limited的Intense 1202是一款激光二极管,波长为635 nm,输出功率为0.25 W,工作电压为2.3 V,工作电流为0.55 A.有关Intense 1202的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
使用激光,研究人员可以直接控制核子的自旋,这可以编码量子信息
原则上,基于量子的设备,如计算机和传感器,在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
当光穿过一种材料时,它的行为往往是不可预测的。这种现象是一个叫做“非线性光学”的整个研究领域的主题,现在从激光开发和光学频率计量到引力波天文学和量子信息科学,非线性光学已经成为技术和科学进步的一部分。