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下载规格书 由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
全部产品分类
概述
来自Innolume的LD-10XX-AK2-20W是一款激光二极管，波长为1060 nm，输出功率为20 W，工作电流为15至17 A，阈值电流为900至1300 mA，输出功率（连续波）为20 W.有关LD-10XX-AK2-20W的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1060 nm
- 输出功率 / Output Power : 20 W
- 工作电流 / Operating Current : 15 to 17 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 900 to 1300 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- Aries 200 Mid-IR Fixed-Wavelength Laser半导体激光器DRS Daylight Solutions
输出功率: 3000mW
继成功推出ARIES™-100激光器之后，Daylight SolutionsTM自豪地宣布将产品线扩展到更高的功率和更大的波长灵活性。ARIES™系列的模块化“插座”方法意味着用户选择的模块可以在工厂安装，以提供必要的性能。较多可以组装和组合七个插座，以从单个系统提供高功率或多个波长。Daylight Solutions的工程团队致力于外腔和量子级联激光器的开发。从科学产品到商业电信级设备，从中红外到高功率、多波长产品，再到军用强化子系统，我们的专业知识不断发展。ARIES™高功率固定波长激光器可满足您苛刻的应用需求。
- LDX-2410-645: 645nm 400mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 400mW
该645nm红色二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生400mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生320mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- CVDR 46650-TO5T半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 640 to 915 nm输出功率: 0.005 to 0.005 W
OSI Laser Diode，Inc.的CVDR 46650-TO5T是一款激光二极管，波长为640至915 nm，输出功率为0.00 5至0.005 W，输出功率（CW）为0.00 5至0.005 W，工作温度为-45至85摄氏度，存储温度为-55至85摄氏度。有关CVDR 46650-TO5T的更多详细信息，请参见下文。
- S3半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 760 to 830 nm输出功率: 100 to 300 W
来自Leonardo Electronics US的S3是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.下面可以看到S3的更多详细信息。
- LDS-1310-DFB-2.5G-15/60半导体激光器LasersCom
波长: 1305 to 1315 nm输出功率: 15 to 60 mW
LASERSCOM的LDS-1310-DFB-2.5G-15/60是一种激光二极管，波长为1305至1315 nm，输出功率为15至60 MW，工作电压为1.4至1.8 V，工作电流为75至90 mA.有关LDS-1310-DFB-2.5G-15/60的更多详细信息，请参阅下文。
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