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下载规格书 以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
全部产品分类
GC-1330-60-TO-200-A概述
来自Innolume的GC-1330-60-TO-200-A是一种激光二极管，波长为1330 nm，输出功率为0.2 W，工作电流为0.8至0.8 A，输出功率（CW）为0.2 W.GC-1330-60-TO-200-A的更多详细信息可参见下文。
GC-1330-60-TO-200-A参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1330 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.2 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.8 to 0.8 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
GC-1330-60-TO-200-A规格书
GC-1330-60-TO-200-A厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-350-1244nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 350mW
•350/500/550mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1170-1280nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- LASER DIODE FIDL-10S-950X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FIDL-10S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-950X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。
- LDX-3205-1120半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1120 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3205-1120是波长为1120 nm、输出功率为1600 MW（光纤）至2000 MW、输出功率为1600 MW（光纤）至2000 MW、工作电压为1.9 V、工作电流为3200 mA的激光二极管。有关LDX-3205-1120的更多详细信息，请参阅下文。
- L404P400M半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 404 nm输出功率: 0.4 W
Thorlabs Inc的L404P400M是一款激光二极管，波长404 nm，输出功率0.4 W，工作电压4.9 V，工作电流0.37至0.41 A，输出功率（连续波）0.4 W.L404P400M的更多详情见下文。
- CAC940J005半导体激光器Vertilite
输出功率: 4.3 to 4.8 W
Vertilite的CAC940J005是一款激光二极管，波长为934 nm、940 nm、946 nm，输出功率为4.3至4.8 W，工作电压为3至3.8 V，工作电流为2.8 A.有关CAC940J005的更多详细信息，请参见下文。
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