am4-976e-10-403

输出功率: 100mW

FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

输出功率: 5mW

FTLD-1410-05S是一种基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1410nm半导体激光器。FTLD-1410-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

波长: 886 to 1100 nm输出功率: 25 W

来自Intense Limited的Intense 2150是波长为886至1100 nm的激光二极管，输出功率为25 W，输出功率为25 W，工作电流为30 A.Intense 2150的更多细节可以在下面看到。

波长: 1262 nm输出功率: 0.5 W

Roithner Lasertechnik公司的RLT1260-500HHL是波长为1262 nm、输出功率为0.5 W、工作电压为1.18 V、工作电流为0~1.85 A、阈值电流为500 mA的激光二极管。有关RLT1260-500HHL的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 650 to 665 nm输出功率: 0.1 to 0.11 W

Opelus Technology Corporation的LD-658-1A-60-N-2是波长为650至665 nm、输出功率为0.1至0.11 W、工作电压为2.5至3 V、工作电流为155至165 mA、阈值电流为55至65 mA的激光二极管。有关LD-658-1A-60-N-2的更多详细信息，请参见下文。