SAL-0920-100

输出功率: 1500mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1500W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

输出功率: 1000mW

FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 10mW

FTLD-1370-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

波长: 940 nm输出功率: 1 to 5 W

来自Photontec Berlin的940M C-Mount二极管是一款激光二极管，波长为940 nm，输出功率为1至5 W，输出功率（CW）为1至5 W.有关940M C-Mount二极管的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1130 nm输出功率: 0.15 to 0.2 W

来自Innolume的GC-1105-130-TO-200-B是一种激光二极管，波长为1130 nm，输出功率为0.15至0.2 W，工作电流为0.4至0.4 A，输出功率（CW）为0.15到0.2 W.有关GC-1105-130-TO-200-B的更多详细信息，请参见下文。