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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
全部产品分类
RLD65PZX2概述
Rohm Semiconductor的RLD65PZX2是波长为650至660 nm的激光二极管，输出功率为0至0.007 W，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为0.025至0.035 A，阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX2的更多详细信息，
RLD65PZX2参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 650 to 660 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.007 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 to 2.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.025 to 0.035 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 25 to 35 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
RLD65PZX2规格书
RLD65PZX2厂家介绍
Rohm于1958年在京都成立，较初是一家小型电子元件制造商。1967年，生产扩大到包括晶体管和二极管，1969年，集成电路和其他半导体产品加入到产品线中。两年后（1971年），该公司打破传统的日本商业文化，在硅谷建立了销售办事处和IC设计中心，从而进入美国市场。通过其年轻员工的辛勤工作和热情奉献，业务蓬勃发展，引起了业界的关注。罗姆的海外扩张很快成为其他公司的模板，并较终被接受为普遍的商业惯例。
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图片名称分类制造商参数描述
- FBLD-635-0.050W-FC105-Coax半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 635nm输出功率: 50mW
光纤耦合激光二极管
- FDL-950-2W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- LASER DIODE FIDL-500M-880X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 500mW
FIDL-500M-880X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-880X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- SES4-940-01半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 940 nm
来自II-VI Incorporated的SES4-940-01是波长为940nm、工作电压为1.7V、工作电流为5A、阈值电流为250mA的激光二极管。有关SES4-940-01的更多详细信息，请参阅下文。
- 激光补光系统LLS半导体激光器江苏亮点光电集团（Lumispot）
输出功率: LS-808-C20-D30-DC24V-AIR-ADJ: 20W, LS-808/915-C50/10-F200-DC24-A-ADJ: 808nm≥50W, 915nm≥10W
激光补光系统LLS（Laserlightingsource）主要由激光器、光学系统和主控板组成，具有单色性好、体积小、重量轻、均匀性好、环境适应性强等特点；通过对目标的远距离补光，提高探测器的远距离探测能力，广泛应用于夜间探测补光、边境管控、军事侦测等场景。
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人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗（FP）激光器到 DFB 和 DBR 激光器，这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。