激光二极管FIDL-500M-880X

输出功率: 4200mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 895 to 925 nm输出功率: 75 to 85 W

Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管，工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W，功率斜率为3W/A，光谱宽度（FWHM）为10nm，脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V，阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计，并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装，非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

波长: 405 nm输出功率: 0.03 W

来自Nolatech的FPL-405-14DL是波长为405 nm、输出功率为0.03 W、阈值电流为30至50 mA、输出功率（CW）为0.03 W的激光二极管。有关FPL-405-14DL的更多详细信息，请参见下文。

波长: 440 to 450 nm输出功率: 0.1 W

NDB4116是一种波长为440~450nm，输出功率为0.1W，工作电压为5.3V，工作电流为0.1A，阈值电流为10~50mA的半导体激光器。有关NDB4116的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1708 nm输出功率: 0.003 W

来自Sacher Lasertechnik的DFB-1708-003是一款激光二极管，波长为1708 nm，输出功率为0.003 W，工作电流为65至120 mA，阈值电流为15至45 mA，输出功率（CW）为0.003 W.有关DFB-1708-003的更多详细信息，请参见下文。