Seminex多模式激光芯片1550nm 4.2W

输出功率: 450mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 803 nm

II-VI Incorporated的SES8-808B-01是一款激光二极管，波长为803 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SES8-808B-01的更多详情见下文。

波长: 405 nm输出功率: 0.02 W

FPL-405-14BF是一种波长为405nm，输出功率为0.02W，工作电压为5V，工作电流为0.05~0.1A，阈值电流为30~50mA的半导体激光器。有关FPL-405-14BF的更多详细信息，请参阅下文。

H封装激光二极管阵列专为直接二极管应用（例如脱毛和塑料焊接）而设计。该封装采用二维配置，脉冲持续时间为0.5ms至300ms，每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠（可根据要求提供定制选项）。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却，使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装，以实现更坚固的组装，从而提高可靠性。

输出功率: 参见Table A

FOL1437R系列（带FBG）专为光学传输系统中的各种光放大器设计，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。