FPL-1350-9MM

输出功率: 500mW

FAXD-785-0.5W-FC100-VBG是一种光纤耦合多模连续输出功率为0.5W的半导体激光器785nm。由于集成的体光栅，波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它带有内部热敏电阻，TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

波长: 1480nm输出功率: 160mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

波长: 1050 to 1070 nm输出功率: 0.01 W

Roithner Lasertechnik公司的RLT1060-10G是一种波长为1050~1070 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.3~1.5 V、工作电流为0~0.05 A、阈值电流为30 mA的激光二极管。有关RLT1060-10G的更多详细信息，请参见下文。

波长: 630 to 645 nm输出功率: 0.12 W

D4-5-635-120是一种激光二极管，其波长为630~645nm，输出功率为0.12W，工作电压为2.5~3V，工作电流为0.16~0.185A，阈值电流为50mA.有关D4-5-635-120的更多详细信息，请参阅下文。