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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
SES8-808C-01概述
SES8-808C-01参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 808 nm
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 V
- 工作电流 / Operating Current : 8 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 1.2 A
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
- 输出功率 / CW Output Power : 8W
- 中心波长 / Center Wavelength : 808±2.5nm
- 光谱半高宽（FWHM） / Spectral Width (FWHM) : 2nm
- 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
- 结合发散角（平行） / Beam Divergence (Parallel To Junction) : 6deg
- 结合发散角（垂直） / Beam Divergence (Perpendicular To Junction) : 32deg
- 偏振 / Polarization : TE
- 阈值电流 / Threshold Current : 1.2A
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.1W/A
- 转换效率 / Conversion Efficiency : 50%
- 串联电阻 / Series Resistance : 0.03Ω
- 工作电流 / Operating Current : 8A
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.9V
- 芯片宽度 / Chip Width : 500µm
- 谐振器长度 / Resonator Length : 3600µm
- 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
- 发射器宽度 / Emitter Width : 190µm
SES8-808C-01应用
1.固态激光泵浦,2.医疗,3.分析,4.打印
SES8-808C-01特征
1.3.6mm x 0.5mm激光二极管,2.190μm宽发射器,3.8W工作功率(背面下装),4.高可靠性单量子阱MBE结构,5.RoHS兼容
SES8-808C-01规格书
SES8-808C-01厂家介绍
II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的，是一家垂直整合的制造公司，为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件，并以各种形式部署它们，包括与先进的软件集成，以支持我们的客户。
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图片名称分类制造商参数描述
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光纤耦合大功率激光二极管
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产品型号 :980LD 这些光纤耦合 980 nm 半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 大多数版本与我们的高速纳秒脉冲驱动器或连续驱动器兼容（高功率多模版本半导体激光管本具有风冷）。 单模 980 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 1500 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 980nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部TTL 信号生成。 提供 7 种多模版本，用于高达 450 W 的连续输出。它们耦合在高达 150 W 的 106 µm 纤芯多模光纤 (NA=0.22)、高达 250 W 的 135 µm 纤芯和高达 450 W 的 200 µm 纤芯中。
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