FBLD-940-18W-FC275-2Pin

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

输出功率: 5800mW

FLX-860-5800M-350是一款多模半导体激光器。860nm连续输出功率为5800mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件应用程序。

输出功率: 45mW

FVLD-420-45S-AR是45mW的单模激光二极管420nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar，该激光器特别适用于外腔激光器。

波长: 400 to 415 nm输出功率: 0 to 0.175 W

CEL的NV4V31MF是一款激光二极管，波长为400至415 nm，输出功率为175 MW，输出功率为0至0.175 W，阈值电流为35至55 mA，工作温度为-5℃至85℃。有关NV4V31MF的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1300 nm输出功率: 40 mW

Fibercom Ltd.的FB-S1300-40SOT148是波长为1300 nm的激光二极管，输出功率为40 MW，工作电压为1.3 V，工作电流为195 mA.有关FB-S1300-40SOT148的更多详细信息，请参阅下文。