单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2024-06-05 17:28:00
概述
来自Seminex公司的TO9-154-114是波长为1335nm(+/-20)、输出功率为0.45W、工作电压为2.6V、工作电流为1.2A的激光二极管。TO9-154-114的更多细节可以在下面看到。
参数
规格书
厂家介绍
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输出功率: 20mW
FIDL-20S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-20S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。
输出功率: 65mW
Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。
波长: 1480nm输出功率: 43000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
波长: 830 to 850 nm输出功率: 0.05 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT850-50MGS是一种激光二极管,波长为830至850 nm,输出功率为0.05 W,工作电压为1.5至2.1 V,工作电流为0.085至0.11 A,阈值电流为28至35 mA.有关RLT850-50MGS的更多详细信息,请参阅下文。
8xxnm系列光纤输出半导体激光器(Fiber Coupled 8xxnm Diode Module)以其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点具有显著优势。此外,该激光器还具有稳定的性能和长寿命,适用于多种应用领域。
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