收藏 
下载规格书 光学参数振荡器optical parametric oscillator（OPO）是一种像激光一样的相干光源，但使用的是非线性晶体中的光学放大过程，而不是受激发射。由于
全部产品分类
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136参数
- 激光类型 / Laser Type: : Continuous Wave (CW)
- 纤维类型 / Fiber Type: : Multi-Mode
- 波长 / Wavelength: : 1480nm
- 输出功率 / Output Power: : 43000mW
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136规格书
Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1480nm 43W N136厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 830L-11A: 830nm Laser (Diode; MATCHBOX 2)半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 130mW
830L-1xA是Integrated Optics推出的一款830 nm低噪声二极管激光器。IO Matchbox系列包括单模激光二极管模块，在超紧凑的“一体化”驱动器集成激光头中提供卓越的性能和可靠性。830L-1xA标配内部电压上转换，允许使用5V电源，同时保持低噪声工作。Matchbox系列激光二极管模块的单片设计包括密封外壳中的热稳定光学器件，确保可靠和免维护操作。所有Matchbox系列模块都包括12个月的保修，并符合RoHS标准。830L-11A是自由空间版本，根据部件号中的变量X，可以使用其他版本。以下是830L-1xA可用的自由空间和光纤耦合输出类型：（“X”定义模块的输出类型）。
- HL40071MG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 400 to 410 nm输出功率: 360 mW
Ushio Inc.生产的HL40071MG是一种激光二极管，波长为400至410 nm，输出功率为360 MW，工作电压为6至7 V，工作电流为280至350 mA.有关HL40071MG的更多详细信息，请参阅下文。
- FAP600-25W-805.0to811.0-F<3.5-25C半导体激光器Coherent Inc.
波长: 808 nm输出功率: 25 W
Coherent Inc.的FAP600-25W-805.0TO811.0-F<3.5-25C是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为25 W，工作电压为2 V，工作电流为36 A.FAP600-25W-805.0TO811.0-F<3.5-25C的更多详情见下文。
- DBR1064S半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 1064 nm输出功率: 0.02 W
Thorlabs Inc生产的DBR1064S是一款激光二极管，波长为1064 nm，输出功率为0.02 W，工作电压为2.8至4 V，工作电流为0.15至0.2 A，输出功率（连续波）为0.02 W.DBR1064S的更多详细信息见下文。
- LD-405-20-70-M-2半导体激光器OPELUS Technology Corporation
波长: 395 to 415 nm输出功率: 0.02 W
Opelus Technology Corporation的LD-405-20-70-M-2是波长为395至415nm的激光二极管，输出功率为0.02W，工作电压为4.8至5.5V，工作电流为33至60mA，阈值电流为26至50mA.有关LD-405-20-70-M-2的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的，用于检测非常特殊的气体，如大气中的微量气体，燃烧废气和等离子体的技术应用。
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。