光电晶体管是一种双极结晶体管(BJT),它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
AM2520P3C03概述
KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息,
AM2520P3C03图片集
AM2520P3C03规格书
AM2520P3C03厂家介绍
Kingbright是一家台湾LED解决方案提供商,拥有40多年的专业知识、创新和协作经验。我们始终追求卓越,在可见和不可见光谱中制造较全面、较可靠和较高质量的LED,以满足全球客户在所有行业的各种工程需求。我们致力于技术创新和质量卓越,通过我们在美国、欧洲和亚洲各地的销售办事处和仓库的卓越支持,确保产品的持续改进和客户满意度。
相关内容
相关产品
- TEMT1000光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。
- OP750C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 935 nm
来自TT Electronics的OP750C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.85至2.8 mA.有关OP750C的更多详情,请参见下文。
- OP775B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 935 nm
来自TT Electronics的OP775B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP775B的更多详情,请参见下文。
- QLTP660CPD光电晶体管Light In Motion
波长(光谱灵敏度): 400 to 1200 nm
来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA,功耗为75 MW,波长(光谱灵敏度)为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息,请参阅下文。
- SFH 325光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 450 to 1120 nm
OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)150 MV,发射极集电极电压(击穿)35 V,功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。
相关文章
什么是光达林顿晶体管(Photodarlington Transistor)?
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管,它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。