紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 110mW
1060nm法布里-珀罗激光器,带密封外壳,监控二极管。
输出功率: 50mW
FNLD-50S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S 1550D是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
波长: 1654nm
Vertilas的长波长VCSEL技术为应用光谱和气体检测方法的各种应用提供了广泛的产品。该产品系列提供多种包装选择,从用于原型制作的开放式包装到带有盖子和防反射涂层窗口的密封包装。它还包括尾纤解决方案,并可根据要求提供更多客户特定选项。高性能的Vertilas技术和产品使客户能够设计和制造具有高灵敏度、低功耗、小系统尺寸和低成本制造的光谱解决方案。
波长: 1300 nm输出功率: 0.008 to 0.008 W
来自OSI Laser Diode,Inc.的SCW 1397-CWDM*R是波长为1300nm、输出功率为0.008至0.008W、阈值电流为8至11mA、输出功率(CW)为0.008至0.008W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。
波长: 851 to 853 nm输出功率: 0.01 W
来自Nanoplus的DFB激光二极管-830 nm至920 nm是波长为851至853 nm的激光二极管,输出功率为0.01 W,工作电压为2 V,工作电流为0.03 A,阈值电流为15至30 mA.DFB激光二极管(830 nm至920 nm)的更多详细信息可在下面查看。
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