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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
概述
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.550um
- 输出功率 / Output Power: : 10mW
- 中心波长 / Center Wavelength (ITU Grid): : 1530 - 1565 nm
规格书
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图片名称分类制造商参数描述
- 3270nm Mid-IR DFB Lasers半导体激光器Norcada Lasers
NORCADA专注于近红外和中红外光谱区的单模分布反馈（DFB）半导体二极管激光器，用于气体传感和可调二极管激光吸收光谱（TDLAS）应用。我们的半导体中红外DFB激光器是使用MBE生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构制造的，该材料系统理想地适用于1900-3600nm的波长范围。中红外DFB激光器为工业安全监控应用感兴趣的许多气体种类提供显著更高的传感灵敏度。我们根据客户的应用，为我们的激光产品提供标准TO式封装和光纤耦合封装。对于TO封装，我们有两种标准格式：TO39（TO5）和TO66。所有标准封装都在封装内配备微型热电冷却器（TEC），以保持激光温度的稳定性。TO39和TO66封装都带有倾斜的密封光学窗口（7度倾斜），以较大限度地减少背向反射。蝶式封装在单模光纤中为客户提供光纤耦合激光输出，该单模光纤通过FC/APC类型的连接器端接。
- FDL-780-1W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- LU1100M300 1100nm Laser Module半导体激光器Lumics GmbH
波长: 1100nm输出功率: 300mW
单模光纤尾纤激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。
- SCW Series: High Power Instrument Laser Modules Pulsed Applications半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
输出功率: 180mW
OSI激光二极管公司设计了一种高功率SMF耦合激光器模块，以满足其性能要求
- 9025-00-198半导体激光器Global Laser Ltd
波长: 655 to 665 um输出功率: 0.1 W
Global Laser Ltd的9025-00-198是一款激光二极管，波长为655至665 um，输出功率为100 MW，输出功率为0.1 W，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为0.17至0.21 A.有关9025-00-198的更多详细信息，请参见下文。
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在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。