光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
概述
该红色630nm激光二极管从自由空间封装中的50um发射器产生250mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生200mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 150mW
FLX-622-150M-60是一种多模半导体激光二极管,在622nm处具有150mW的连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
输出功率: 5mW
U-LD-65xx系列激光二极管
波长: 850 nm输出功率: 10 W
来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 93是波长为850nm、输出功率为10W、输出功率(CW)为10W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。
波长: 940 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3310-940是波长为940 nm、输出功率为2400 MW(光纤)至3000 MW、输出功率为2400 MW(光纤)至3000 MW、工作电压为1.7 V、工作电流为2800 mA的激光二极管。有关LDX-3310-940的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 670 to 700 nm输出功率: 0.03 W
来自Roithner Lasertechnik的QL68I6SA是波长为670至700 nm、输出功率为0.03 W、工作电压为2至3 V、工作电流为0.08至0.14 A、阈值电流为35至60 mA的激光二极管。有关QL68I6SA的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
用于物体分类任务的轨道-角动量编码衍射网络