单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
FAXD-808-2W-100-XX是一款多模半导体激光器在808nm处具有2W连续输出功率的二极管。发射器大小为100µm。它适用于各种光电应用。
参数
规格书
厂家介绍
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波长: 975 nm输出功率: 4 W
Kryptronic Technologies的GCSLX-06-004-1是一款激光二极管,波长为975 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.2 V,工作电流为6 A.有关GCSLX-06-004-1的更多详细信息,请参见下文。
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