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下载规格书 Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。
全部产品分类
HL65051DG AlGaInP激光二极管概述
HL65051DG AlGaInP半导体激光器。
HL65051DG AlGaInP激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.660um
- 输出功率 / Output Power: : 130mW
HL65051DG AlGaInP激光二极管规格书
HL65051DG AlGaInP激光二极管厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- QFLD-1060-20S半导体激光器QPhotonics
波长: 1060 nm输出功率: 0 to 0.02 W
Qphotonics公司的QFLD-1060-20S是波长为1060nm的激光二极管，输出功率为0~0.02W，工作电压为2.21V，工作电流为0.21~0.21A，阈值电流为44mA.有关QFLD-1060-20S的更多详细信息，请参阅下文。
- V940-12GWA-1TGA半导体激光器Inneos
输出功率: 1 to 2.5 mW
Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管，工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW，斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm，光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中，经过设计和测试，可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA，反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源，消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装，尺寸为0.25 X 0.25 mm，非常适合工业和航空航天应用。
- 131F-02I-LT5SB半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131F-02I-LT5SB是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131F-02I-LT5SB的更多详细信息，请参见下文。
- CVLL350半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 1550 nm输出功率: 100 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CVLL350是波长为1550nm、输出功率为100W、阈值电流为2000mA、输出功率（CW）为100W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。
- DFB-1674-005半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1674 nm输出功率: 0.005 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-1674-005是一种激光二极管，波长为1674 nm，输出功率为0.005 W，工作电流为65至120 mA，阈值电流为15至45 mA，输出功率（连续波）为0.005 W.DFB-1674-005的更多详情见下文。
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