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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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hl63263dg激光二极管概述
Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红色激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL63263DG激光二极管具有单模式和5.6 mm封装。HL63263DG是工业和机器视觉应用的理想选择，要求运行可靠，使用寿命长，输出功率稳定。
hl63263dg激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.638um
- 输出功率 / Output Power: : 200mW
hl63263dg激光二极管规格书
hl63263dg激光二极管厂家介绍
成立于1996年，专注于传感器、测量、生物医学和激光照明领域的激光应用。今天，我们是激光模块和激光传感器的领先制造商和设计商。我们的产品线包括从405 nm到1064 nm的各种功率范围的激光模块和系统。我们经验丰富、技术精湛的专业技术人员将帮助您解决较复杂的激光设计问题。
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图片名称分类制造商参数描述
- CW-RT-DFB-QC 1022.8-1031.4nm半导体激光器Alpes Lasers
输出功率: 50mW
在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上，这意味着在焊盘上偏置为负，在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。
- Laser Diode 785nm DBR半导体激光器FrankFurt Laser Company
FPD-XXXS-785-YY-DBR系列高功率边发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。用于铷应用的原子光谱学的设备。
- LASER DIODE FIDL-10S-960X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FIDL-10S-960X是960nm InGaAs/GaAs MOW结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-960X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- TO56-105-138半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1565 nm(+/-20)输出功率: 0.8 w
来自Seminex Corporation的TO56-105-138是波长为1565 nm（+/-20）、输出功率为0.8 W、工作电压为3.5 V、工作电流为2 A的激光二极管。
- IND02N300D104半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 4 mW
II-VI公司的IND02N300D104是一种激光二极管，波长为1281.25 nm、1282.26 nm、1283.27 nm，输出功率为4 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为15 mA.有关IND02N300D104的更多详细信息，请参阅下文。
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