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HL6321G/22G AlGaInP激光二极管概述
HL6321G/22G AlGaInP半导体激光器
HL6321G/22G AlGaInP激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.638um
- 输出功率 / Output Power: : 15mW
HL6321G/22G AlGaInP激光二极管规格书
HL6321G/22G AlGaInP激光二极管厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LDX-3105-860: 860nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 1000mW
该860nm红色二极管激光器从自由空间封装中的50um发射器产生1000mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生800mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- Standard Power Blue Laser 473 nm半导体激光器4M-Vision
波长: 473nm输出功率: 200mW
激光模块和二极管
- QFLD-635-80MAX半导体激光器QPhotonics
波长: 639.1 nm输出功率: 0 to 0.0774 W
QFLD-635-80MAX是一款波长为639.1 nm的激光二极管，输出功率为0~0.0774 W，工作电压为2.38 V，工作电流为0.36 1~0.397 A，阈值电流为157 mA.有关QFLD-635-80MAX的更多详细信息，请参阅下文。
- R5半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 760 to 830 nm输出功率: 80 to 100 W
美国Leonardo Electronics的R5是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为80至100 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R5的更多详细信息，请参阅下文。
- 33D635-5半导体激光器US-Lasers, Inc.
波长: 630 to 645 nm输出功率: 0 to 0.005 W
US-Lasers，Inc.的33D635-5是波长为630至645 nm、输出功率为0至0.005 W、工作电压为2.5 V、工作电流为0.045至0.07 A、阈值电流为30至45 mA的激光二极管。有关33D635-5的更多详细信息，请参阅下文。
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