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下载规格书 半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
全部产品分类
概述
•200/300/370mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1130-1170nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.140um
- 输出功率 / Output Power: : 300mW
规格书
厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FAXD-1064-3W-100-XX半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 3000mW
FAXD-1064-3W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有3W连续输出功率。发射极尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。
- SLD335F半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 805 to 811 nm输出功率: 5 W
SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为5 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为5.2至6.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息，请参阅下文。
- IND02L700D102半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 1309.14 nm
来自II-VI Incorporated的IND02L700D102是波长为1309.14nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L700D102的更多详细信息，请参阅下文。
- DFB-1310-14BF半导体激光器Nolatech
波长: 1305 nm输出功率: 0.03 W
DFB-1310-14BF是美国NOLATECH公司生产的波长为1305 nm、输出功率为0.03 W、工作电压为2 V、工作电流为0.1 A、阈值电流为8~12 mA的半导体激光器。有关DFB-1310-14BF的更多详细信息，请参阅下文。
- R808±0.5-4WW-CM-G半导体激光器Electro Optical Components
波长: 808±0.5 nm输出功率: 4 W
来自Electro Optical Components的R808±0.5-4WW-cm-G是波长为808±0.5 nm、输出功率为4 W、工作电压为1.92 V、工作电流为4.62 A的激光二极管。
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