光子学领域的加速发展提高了对高效和经济的制造技术的要求。蚀刻是光子学制造中的一项重要技术，有助于在各种材料中构建微观和纳米结构。近年来，气体辅助蚀刻已经成为传统湿法蚀刻技术的可行替代品。

气体辅助蚀刻的简要概述
蚀刻是将材料从表面有选择地去除，留下所需的序列或结构的过程。在制造波导、衰减器和光学滤波器等光电子元件时，蚀刻是必不可少的。存在各种蚀刻技术，包括湿法蚀刻、干法蚀刻和气体辅助蚀刻。

气体辅助刻蚀涉及到采用一种活性气体来帮助刻蚀过程。活性气体被引入蚀刻区域，在那里与被蚀刻的材料发生反应，产生挥发性化合物，这些化合物很容易被离子轰击去除。聚焦离子束（FIB）或等离子体源都可以用来进行气体辅助蚀刻。FIB方法采用聚焦离子束来蚀刻材料，而等离子体源方法则使用等离子体产生活性气体。

蚀刻在光子学制造中的作用
蚀刻是制造光电子器件的一个关键步骤，因为它能够开发出操作所需的复杂的微观和纳米结构。蚀刻被用来建立谐振孔，这对于在谐振器生产过程中提高光信号至关重要。在光学过滤器的制造中，蚀刻被用来生产带通滤波器，它负责过滤特定波长的光。

有哪些不同的气体辅助蚀刻方法？
在光子学制造中使用的气助蚀刻方法有几种。三种广泛使用的气辅离子束刻蚀方法包括标准聚焦离子束刻蚀（FIBE）、反应性离子束刻蚀（RIBE）和化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）。

气体辅助聚焦离子束蚀刻工艺
聚焦离子束（FIB）是一个有力的技术组成部分，它促进了众多研究领域实现和研究微纳米系统的科学和技术进步，包括纳米技术、材料科学和微电子工业。

通过FIB加工，复杂的纳米结构的生产可以通过离子研磨启动的材料去除或通过离子束和气态前体的相互作用启动的局部沉积来进行。值得注意的是，这项技术适用于纳米光子学感兴趣的两个材料系列，即导电金属，以及绝缘和低损耗电介质。

发表在《微型机械》（Micromachines）上的一篇文章重点讨论了FIB诱导的蚀刻和铣削，用于光子设备的内在手性。研究表明，聚焦离子束（含重离子如Ga+或轻离子如He+）可作为扫描离子传感器用于光刻蚀刻抗蚀剂，其位置和速度由图案合成器调节。

在高破坏性的FIB铣削过程中，离子束检查材料的表面并挖掘出所需的区域。如果气体注入系统（GIS）同时将气态自然前体引入真空室，则表面铣削可以与气体辅助蚀刻相结合。

活性离子束蚀刻（RIBE）
RIBE中的光束是由活性气体组成的，而不是惰性气体。该过程与其他技术不同，主要是气体与基底材料相互作用，对其进行化学去除。

根据基底材料的不同，这个过程可以比传统的IBE更加精确和规范，这使得它有利于蚀刻非常薄的薄膜涂层，在这种情况下，必须防止对子层的伤害。

Neu等人发表在《微型机械》上的一篇文章向读者介绍了RIBE工艺中引入的一种用于光子学制造的单晶金刚石器件的新方法。

这种创新方法被称为反应性离子束倾斜刻蚀（RIBAE），是为独立的光子和机电纳米结构的均匀性和适应性制造而创造的。

为了用这种技术制造3-D纳米结构，首先将传统的平版印刷图案应用于蚀刻掩模，然后在旋转的试样表面上将样品与离子束正交地贴在一起进行RIE。通过使材料相对于离子束的角度，进行后续的蚀刻，最终实现蚀刻掩膜下的纳米结构的一致蚀刻。

化学辅助离子束蚀刻（CAIBE）用于光子学应用
独立于离子束，非离子化的活性气体被纳入CAIBE工艺中，与基材相邻。来自惰性气体的离子通过源发射出来，类似于IBE。这个过程，像RIBE一样，产生反应性气体；然而，它们只发生在材料附近。当惰性物种与反应气体接触时，发生化学反应，导致材料的去除。

惰性气体离子束的混合和反应气体在基材附近的定位可以使该过程比RIBE更有效，比传统IBE更精确。

在《物理化学快报》上，研究人员利用化学气体辅助聚焦离子束（GAFIB）对过氧化物电池进行图案化。使用GAFIB蚀刻制造了一个具有宽带衰减和纳米级精度的均匀和重复的亚微米包晶石亚波长光栅（SWG）吸收器。结果表明，FIB作为亚微米蚀刻方法和表面修饰技术（在FIB图案化后，以减轻光学损失）可用于包晶石光子纳米晶体。过氧化物太阳能电池可以用SWG吸收器进行图案化，通过增加光的捕获和吸收来提高设备效率。

除了这些主要技术，电子回旋共振（ECR）等离子体蚀刻也在被利用。电子回旋共振（ECR）等离子体蚀刻是一种气体辅助的蚀刻方法，利用高频磁场产生等离子体。然后，等离子体被用来雕刻制造的材料。ECR等离子体蚀刻是一种极其各向异性的蚀刻技术，可以产生干净的侧壁和定义明确的图案。

简而言之，气体辅助蚀刻是制造光子设备的一个关键步骤。可以预见，新型的气体辅助蚀刻方法，如低温蚀刻和原子层蚀刻，将在光子制造的发展中发挥关键作用。

参考资料
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作者Ibtisam Abbasi