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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
全部产品分类
HV85-0001G1 Pre 2.0概述
850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。
HV85-0001G1 Pre 2.0参数
- 储存温度 / Storage Temperature : -40 to 85℃
- 工作温度 / Operating Temperature : -10 to 85℃
- 连续正向电流 / Continuous Forward Current : 5mA
- 连续反向电压 / Continuous Reverse Voltage : 5V (@10μA)
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.5 to 1.0mA CW
- 阈值电流温度变化 / Ith Temperature Variation : ΔIth 0.5mA Ta= -10 to 85℃
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.5 to 0.7W/A If= 2mA
- 斜率效率温度变化 / η Temperature Variation : Δη / ΔT -0.5%/oC Ta= -10 to 85℃ at 2mA
- 光输出功率 / Optical Output Power : Po 1mW If= 2mA
- 峰值波长 / Peak Wavelength : λP 840 to 860nm If= 2mA
- 波长温度变化 / λ Temperature Varation : Δλ / ΔT 0.06nm/oC Ta= -10 to 85℃ at 2mA
- 光束发散度 / Beam Divergence : Θ 10° Po= 1mW (FWHM)
- 工作电压 / Operating Voltage : Vf 2.0 to 2.3V If= 2mA
- 击穿电压 / Breakdown Voltage : Vb -10V
- 动态电阻 / Dynamic Resistance : Rd 140 to 170Ohm If= 2mA
HV85-0001G1 Pre 2.0应用
1.消费电子
2.安全传感器
3.接近传感器
HV85-0001G1 Pre 2.0特征
1.波长范围850nm
2.高斯光束轮廓
3.可进行低电流操作
4.高可靠性
5.可根据要求提供其他配置
HV85-0001G1 Pre 2.0详述
HV85-0001G1 Pre 2.0的产品图片
HV85-0001G1 Pre 2.0规格书
HV85-0001G1 Pre 2.0厂家介绍
自 2000 年成立以来，Optowell 只走过了 VCSEL 技术发展的道路，直到现在作为 VCSEL 市场的一员，生产出基于好的技术的半导体器件。此外，Optowell 是韩国的 VCSEL 制造商，在全球多家公司垄断的 VCSEL 市场上傲然竞争，为光学行业做出了巨大贡献。 此外，在过去的 20 年里，我们以差异化工艺技术和垂直一体化生产系统为基础，向全球客户提供 III-V 化合物 Epi 晶圆、芯片、封装等各种产品。特别是在高速数据通信和高灵敏度光学传感器市场，我们的产品出口到包括欧洲、美国、中国和日本在内的 30 多个国家。 Optowell 将客户价值放在首位，通过稳步的技术开发，技术得到了认可。通过不断的技术创新、质量改进和管理创新，我们将回报客户的支持，成为光学传感器、光学连接器和医疗设备领域的生产厂家。
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