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下载规格书 激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
全部产品分类
SPL EN91-40-8-10B概述
单管芯片(未切割的巴条) ，发射器宽度100μm，910nm；现货库存，请联系客服咨询。推荐用于连续波(cw)-应用，光纤激光泵浦，直接材料加工，医疗应用，打印应用.
SPL EN91-40-8-10B参数
- 波长 / Wavelength : 910 nm
- 芯片技术 / Chip Technology : 可切割的8个单管组成的单片线性阵列巴条
- 工作电流 / Operating Current : 10.8A
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.54A
- 发射器数量 / Number of Emitters : 8
SPL EN91-40-8-10B详述
关键指标
- 8个单发射器的单片线性阵列
- 单管由客户进行切割
- 推荐的光功率为每个单发射器11W
- 典型的转换效率为61%
- 高效率和可靠的 MOVPE 生长的量子阱结构
- 其他中心脉冲波长可根据要求提供
- 可焊 p 面和 n 面金属化
- N 面金属化适用于导线键合.
SPL EN91-40-8-10B规格书
SPL EN91-40-8-10B厂家介绍
欧司朗制造了许多创新产品，以帮助解决移动、安全和安保方面的日常问题。他们的产品和服务帮助人们看得更好，沟通更好，移动更好，工作和生活更好。欧司朗正在从一家领先的照明生产商发展成为光子学领域的高科技冠军。光子学涵盖了可见光和不可见光的整个技术范围。例如，他们的高品质LED用于汽车应用中的可视化。它们还提供用于传感的红外线和激光，作为智能手机中自动驾驶或面部识别的基础。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-1000M-860X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode 1575nm 1.7W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1700mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- QDFBLD-1080-20半导体激光器QPhotonics
波长: 1078 to 1082 nm输出功率: 0 to 0.02 W
来自Qphotonics的QDFBLD-1080-20是波长为1078至1082nm、输出功率为0至0.02W、工作电压为2至2.3V、工作电流为0.13至0.15A、阈值电流为22至30mA的激光二极管。有关QDFBLD-1080-20的更多详细信息，请参阅下文。
- TO9-181半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1450 nm(+/-20)输出功率: 16 W
来自Seminex公司的TO9-181是波长为1450nm（+/-20）、输出功率为16W、工作电压为6V、工作电流为50A的激光二极管。关于TO9-181的更多细节可参见下文。
- LD-0695-0040-AR-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 689 to 707 nm输出功率: 0.035 W
Toptica Photonics的LD-0695-0040-AR-1是一款激光二极管，波长为689至707 nm，输出功率为0.035 W，输出功率（CW）为0.035 W.有关LD-0695-0040-AR-1的更多详细信息，请参见下文。
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