光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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KPT801C2
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-06-05 17:56:22
型号: KPT801C2Si Phototransistor
概述
Kyoto Semiconductors的KPT801C2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为100至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为75 MW.有关KPT801C2的更多详细信息，
参数
- 安装类型 / Mounting Type : Leaded
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 20 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 to 200 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
规格书
厂家介绍
Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立，是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来，我们克服了许多考验；将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷；并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此，我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。
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