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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.2 to 0.4 mA
规格书
厂家介绍
Kingbright是一家台湾LED解决方案提供商，拥有40多年的专业知识、创新和协作经验。我们始终追求卓越，在可见和不可见光谱中制造较全面、较可靠和较高质量的LED，以满足全球客户在所有行业的各种工程需求。我们致力于技术创新和质量卓越，通过我们在美国、欧洲和亚洲各地的销售办事处和仓库的卓越支持，确保产品的持续改进和客户满意度。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP506W光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息，请参见下文。
- OP550B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP550B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情，请参见下文。
- OP793A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP793A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.45至7.5 mA.有关OP793A的更多详情，请参见下文。
- OP803SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为4 mA至8 mA，功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情，请参见下文。
- WP7113P3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 670 to 1070 nm
KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7至3 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息，请参阅下文。
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