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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1150 nm
规格书
厂家介绍
在一个日益互联的世界中，传感在缩小物理和数字之间的差距方面发挥着至关重要的作用，使人和机器能够理解世界并与世界互动。通过使用光的全光谱，并结合传感器、软件和发射器，我们通过捕捉、分析和可视化，将我们环境中的信息带到光中。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP506D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请参见下文。
- OP580DA光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP580DA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1µA，集电极发射极电压（饱和）1.7 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流10 mA.有关OP580DA的更多详细信息，请参见下文。
- NTE3034A光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 800 nm
NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请参阅下文。
- L14U2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请参阅下文。
- PT204-6B光电晶体管Ever Light
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 940 nm
Ever Light的PT204-6B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6B的更多详细信息，请参见下文。
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