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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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BPX 82-80概述
OSRAM的BPX 82-80是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗90 MW.有关BPX 82-80的更多详细信息，
BPX 82-80参数
- 材料 / Material : Silicon
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 7 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1100 nm
BPX 82-80规格书
BPX 82-80厂家介绍
欧司朗制造了许多创新产品，以帮助解决移动、安全和安保方面的日常问题。他们的产品和服务帮助人们看得更好，沟通更好，移动更好，工作和生活更好。欧司朗正在从一家领先的照明生产商发展成为光子学领域的高科技冠军。光子学涵盖了可见光和不可见光的整个技术范围。例如，他们的高品质LED用于汽车应用中的可视化。它们还提供用于传感的红外线和激光，作为智能手机中自动驾驶或面部识别的基础。
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图片名称分类制造商参数描述
- RPT-38PB3F光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
来自Rohm Semiconductor的RPT-38PB3F是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为150 MW.有关RPT-38PB3F的更多详细信息，请参阅下文。
- OP505C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP505C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP505C的更多详细信息，请参见下文。
- OP793D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP793D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.9至7.5 mA.有关OP793D的更多详细信息，请参见下文。
- KPT811H光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1000 nm
Kyoto Semiconductors的KPT811H是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）20 V，集电极暗电流100至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗125 MW.有关KPT811H的更多详细信息，请参阅下文。
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