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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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概述
OSRAM的BPX 81是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗90 MW.有关BPX 81的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Silicon
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 7 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1100 nm
规格书
厂家介绍
在一个日益互联的世界中，传感在缩小物理和数字之间的差距方面发挥着至关重要的作用，使人和机器能够理解世界并与世界互动。通过使用光的全光谱，并结合传感器、软件和发射器，我们通过捕捉、分析和可视化，将我们环境中的信息带到光中。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP560A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情，请参见下文。
- OP755B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP755B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.5至4.2 mA.有关OP755B的更多详情，请参见下文。
- OP775C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP775C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至2.8 mA.有关OP775C的更多详情，请参见下文。
- OP800WSL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息，请参见下文。
- KPT081M31光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1000 nm
Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。
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