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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
Lumex的OED-STR851C100-TR是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关OED-STR851C100-TR的更多详细信息，
参数
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 940 nm
规格书
厂家介绍
Lumex的技术设计专家是协作开发有效、智能的设计困境解决方案的专家。Lumex在市场上是少有的，因为它为大型和小型客户提供了前所未有的免费技术支持。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- PT010-05光电晶体管Ushio Inc.
材料: Clear Epoxy Resin波长（光谱灵敏度）: 900 nm
Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请参阅下文。
- OP550A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息，请参见下文。
- OP750D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP750D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP750D的更多详情，请参见下文。
- OP802SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2 mA至5 mA，功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情，请参见下文。
- NTE3036光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon
NTE Electronics，Inc的NTE3036是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.6至1 V，发射极集电极电压（击穿）10至15.5 V，功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息，请参阅下文。
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