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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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PTF080D3概述
Optrans America的PTF080D3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗200 MW.有关PTF080D3的更多详细信息，
PTF080D3参数
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1050 nm
PTF080D3规格书
PTF080D3厂家介绍
OpTrans America是为医疗、机器人、汽车、光纤、航空航天和国防等原始设备制造商研究、开发和制造高端定制设计光电设备和系统的行业做的较好的。Optrans America在全球公认的Optrans公司内运营，该公司成立于1987年，总部设在日本。Optrans America成立于1994年，总部位于纽约州。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP508FB光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息，请参阅下文。
- OP755D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP755D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP755D的更多详情，请参见下文。
- XZRNI56W-1光电晶体管SunLED
SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请参见下文。
- L14N1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14N1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流1 mA，功耗300至600 MW.有关L14N1的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 303 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1120 nm
欧司朗的SFH 303 FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗200 MW.有关SFH 303 FA的更多详细信息，请参阅下文。
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