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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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概述
Optrans America的PT086N4是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关PT086N4的更多详细信息，
参数
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
规格书
厂家介绍
OpTrans America是为医疗、机器人、汽车、光纤、航空航天和国防等原始设备制造商研究、开发和制造高端定制设计光电设备和系统的行业做的较好的。Optrans America在全球公认的Optrans公司内运营，该公司成立于1987年，总部设在日本。Optrans America成立于1994年，总部位于纽约州。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- TEMT1000光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。
- OP560A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情，请参见下文。
- L14C1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14C1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.16 mA，功耗300至600 MW.有关L14C1的更多详细信息，请参见下文。
- QSA158光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的QSA158是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA158的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3201光电晶体管ams OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 460 to 1080 nm
OSRAM的SFH 3201是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为170至250 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3201的更多详细信息，请参阅下文。
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