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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP750A概述
TT Electronics的OP750A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP750A的更多详情，
OP750A参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 2.25 to 7 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP750A规格书
OP750A厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
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图片名称分类制造商参数描述
- T5096P光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 480 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请参阅下文。
- OP550D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP550D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP550D的更多详情，请参见下文。
- OP552D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP552D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552D的更多详细信息，请参见下文。
- L14G1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请参见下文。
- L14G3光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请参阅下文。
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