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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP599A概述
来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息，
OP599A参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.25 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 2.35 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 nm
OP599A规格书
OP599A厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP755A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP755A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP755A的更多详情，请参见下文。
- L14G1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 325光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1120 nm
OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）35 V，功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。
- SFH 3310光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 350 to 970 nm
来自OSRAM的SFH 3310是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V，波长（光谱灵敏度）为350至970 nm.有关SFH 3310的更多详细信息，请参阅下文。
- APL3015P3C光电晶体管kingbrightusa
KingbrightUSA的APL3015P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3至0.6 mA，功耗100 MW.有关APL3015P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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