收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
OP598B概述
来自TT Electronics的OP598B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为5 mA至10 mA.有关OP598B的更多详细信息，
OP598B参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1.7 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 25 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 5 to 10 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 nm
OP598B规格书
OP598B厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- SCM-014TB光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
Rohm Semiconductor的SCM-014TB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）32 V，集电极暗电流0.5 mA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关SCM-014TB的更多详细信息，请参阅下文。
- NTE3035A光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 800 nm
NTE Electronics，Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为60 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.75至1 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息，请参阅下文。
- L14U2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请参阅下文。
- BPY 62光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
OSRAM的BPY 62是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗200 MW.有关BPY 62的更多详细信息，请参见下文。
- LPT 80A光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
欧司朗的LPT 80A是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW.下面可以看到LPT 80A的更多细节。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。