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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP508FA概述
TT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息，
OP508FA参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 2.7 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 to 935 nm
OP508FA规格书
OP508FA厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
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图片名称分类制造商参数描述
- BPW76B光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请参阅下文。
- NTE3034A光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 800 nm
NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 303 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1120 nm
欧司朗的SFH 303 FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗200 MW.有关SFH 303 FA的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3310光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 350 to 970 nm
来自OSRAM的SFH 3310是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V，波长（光谱灵敏度）为350至970 nm.有关SFH 3310的更多详细信息，请参阅下文。
- KP-3216P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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