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KPDE086S-H54P 光电二极管

KPDE086S-H54P

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日本
分类:光电二极管

更新时间:2024-06-05 17:56:13

型号: KPDE086S-H54PThermoelectrically Cooled InGaAs Photodiode

概述

Kyoto Semiconductors的KPDE086S-H54P是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm,电容为45至60 PF,暗电流为1至10 nA,响应度/光敏度为0.8至1 A/W.有关KPDE086S-H54P的更多详细信息,

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PN
  • 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
  • 波长范围 / Wavelength Range : 1310 to 1550 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 电容 / Capacitance : 45 to 60 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 1 to 10 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.8 to 1 A/W

规格书

厂家介绍

Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立,是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来,我们克服了许多考验;将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷;并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此,我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。

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