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GAP5000TE1 光电二极管

GAP5000TE1

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美国
分类:光电二极管

更新时间:2023-06-29 11:02:23

型号: GAP5000TE1

GAP5000TE1概述

GPD Optoelectronics的GAP5000TE1是一款光电二极管,其波长范围峰值波长为:1.52 um,带宽为3 MHz,电容为1000 PF,暗电流为100 nA,响应度/光敏度为0.95至1 A/W.GAP5000TE1的更多详情见下文。

GAP5000TE1参数

  • 波长范围 / Wavelength Range : Peak wavelength: 1.52 um
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 电容 / Capacitance : 1000 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 100 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.95 to 1 A/W

GAP5000TE1规格书

GAP5000TE1厂家介绍

GPD Optoelectronics成立于1973年,当时名为锗功率器件公司(Germanium Power Devices Corp.)。我们较初生产高质量的锗晶体管,但自20世纪80年代初以来,我们已成为值得信赖的锗和砷化铟镓光电二极管制造商。随着经验的积累,我们的技术能力和生产能力得到了提高,较终我们的规模扩大了一倍,搬到了位于新罕布什尔州塞勒姆的新工厂。 GPD自1973年以来一直是功率和高速锗晶体管和二极管的制造商,自1985年以来是红外光电探测器的制造商。GPD提供Ge、p-n、p-i-n、APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器,用于辐射检测和电信应用。GPD拥有符合MIL-I-45208的检验系统。光电二极管须符合Telcordia测试要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883测试方法和/或客户规格。

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