布里斯托尔大学的研究人员通过将世界上最小的量子光探测器集成到硅芯片上,在缩放量子技术方面取得了重要突破。这篇题为“双cmos电子光子集成电路量子光探测器”的论文发表在《科学进展》杂志上。
UPD-200-SD概述
UPD-200-SD参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- 波长范围 / Wavelength Range : 320 to 1100 nm
- 上升时间 / Rise Time : 175 ps
- 暗电流 / Dark Current : 0.001 nA
- 窗口材料 / Window Material : Diffuse, Quartz
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.126 mm
UPD-200-SD规格书
UPD-200-SD厂家介绍
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