位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
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QL85G63E
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: QL85G63EMOCVD grown 850 nm band GaAs laser diode with quantum well structure
概述
Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 845 to 855 nm
- 输出功率 / Output Power : 15 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.4 V
- 工作电流 / Operating Current : 45 to 55 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 40 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : GaAs Lasers
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
- 808nm 45W Integrated Diode Laser System DioPower半导体激光器Laser Electronics GmbH
波长: 808nm输出功率: 45000mW
Diopower方便地提供了一个集成的二极管激光系统。包括所有必要的组件，如激光二极管、激光二极管驱动器、TEC驱动器和激光二极管冷却器。客户可以根据自己的要求选择合适的激光二极管。
- CW-RT-DFB-QC 803.5-808.3nm半导体激光器Alpes Lasers
输出功率: 10mW
在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上，这意味着在焊盘上偏置为负，在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。
- LASER DIODE FIDL-5S-940X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FIDL-5S-940X是940nm InGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-940X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- NDB4116半导体激光器Nichia Corporation
波长: 440 to 450 nm输出功率: 0.1 W
NDB4116是一种波长为440~450nm，输出功率为0.1W，工作电压为5.3V，工作电流为0.1A，阈值电流为10~50mA的半导体激光器。有关NDB4116的更多详细信息，请参阅下文。
- QLD106D-64D0半导体激光器QD Laser
波长: 1064 nm输出功率: 0.4 W
QD Laser的QLD106D-64D0是一款激光二极管，波长为1064 nm，输出功率为0.4 W，输出功率（CW）为0.4 W.有关QLD106D-64D0的更多详细信息，请参见下文。
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