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QL83R6S-A/B/C

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL83R6S-A/B/CMOCVD grown 830 nm band AIGaAs laser diode with quantum well structure

概述

来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息,

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 815 to 840 nm
  • 输出功率 / Output Power : 200 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.5 V
  • 工作电流 / Operating Current : 180 to 240 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 85 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

规格书

厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片名称分类制造商参数描述
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