半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
QL83R6S-A/B/C
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息,
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 815 to 840 nm
- 输出功率 / Output Power : 200 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.5 V
- 工作电流 / Operating Current : 180 to 240 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 85 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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