单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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QL80T4HD-Y
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: QL80T4HD-YMOCVD grown 808 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure
概述
Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管，波长为785至830 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 785 to 830 nm
- 输出功率 / Output Power : 1 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 to 2.5 V
- 工作电流 / Operating Current : 1.1 to 1.5 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.25 to 0.30 A
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
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- LD-655-10-50-N-2半导体激光器OPELUS Technology Corporation
波长: 645 to 660 nm输出功率: 0.01 W
Opelus Technology Corporation的LD-655-10-50-N-2是波长为645至660nm的激光二极管，输出功率为0.01W，工作电压为2.3至2.6V，工作电流为36至45mA，阈值电流为20至25mA.有关LD-655-10-50-N-2的更多详细信息，请参阅下文。
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